Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MIXA151W1200EH

MIXA151W1200EH

MIXA151W1200EH
MIXA151W1200EH
Артикул: MIXA151W1200EH
Описание: MIXA151W1200EH
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration 6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 220 A
Power Dissipation 695 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA151W1200EH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration 6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 220 A
Power Dissipation 695 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA151W1200EH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet