Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MIXA30WB1200TED

MIXA30WB1200TED

MIXA30WB1200TED
MIXA30WB1200TED
Артикул: MIXA30WB1200TED
Описание: MIXA30WB1200TED
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 43 A; 17 A
Power Dissipation 150 W; 60 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA30WB1200TED: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 43 A; 17 A
Power Dissipation 150 W; 60 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA30WB1200TED: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet