Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MIXA40W1200TED

MIXA40W1200TED

MIXA40W1200TED
MIXA40W1200TED
Артикул:
Описание: MIXA40W1200TED
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration 6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 60 A
Power Dissipation 195 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA40W1200TED: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration 6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 60 A
Power Dissipation 195 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA40W1200TED: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet