MIXA600PF650TSF
MIXA600PF650TSF
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
1.5 uA
Continuous Collector Current
720 A
Power Dissipation
1.75 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA600PF650TSF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
1.5 uA
Continuous Collector Current
720 A
Power Dissipation
1.75 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA600PF650TSF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

