MIXA60HU1200VA
MIXA60HU1200VA
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
85 A
Power Dissipation
290 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA60HU1200VA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
85 A
Power Dissipation
290 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA60HU1200VA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

