Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MIXA60WB1200TEH

MIXA60WB1200TEH

MIXA60WB1200TEH
MIXA60WB1200TEH
Артикул: MIXA60WB1200TEH
Описание: MIXA60WB1200TEH
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 85 A
Power Dissipation 290 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA60WB1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 85 A
Power Dissipation 290 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA60WB1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet