MIXA60WH1200TEH
MIXA60WH1200TEH
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
60 A
Power Dissipation
195 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA60WH1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Continuous Collector Current
60 A
Power Dissipation
195 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA60WH1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

