Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MIXA61H1200ED

MIXA61H1200ED

MIXA61H1200ED
MIXA61H1200ED
Артикул: MIXA61H1200ED
Описание: MIXA61H1200ED
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 85 A
Power Dissipation 290 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA61H1200ED: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 85 A
Power Dissipation 290 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA61H1200ED: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet