Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MIXA80W1200TEH

MIXA80W1200TEH

MIXA80W1200TEH
MIXA80W1200TEH
Артикул: MIXA80W1200TEH
Описание: MIXA80W1200TEH
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration 6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 120 A
Power Dissipation 390 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA80W1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration 6-Pack
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 120 A
Power Dissipation 390 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA80W1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet