Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MKI100-12F8

MKI100-12F8

MKI100-12F8
MKI100-12F8
Артикул: MKI100-12F8
Описание: MKI100-12F8
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 125 A
Power Dissipation 640 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MKI100-12F8: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 125 A
Power Dissipation 640 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MKI100-12F8: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet