Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MKI50-06A7

MKI50-06A7

MKI50-06A7
MKI50-06A7
Артикул: MKI50-06A7
Описание: MKI50-06A7
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 600 V
Configuration Quad
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Continuous Collector Current 72 A
Power Dissipation 225 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MKI50-06A7: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 600 V
Configuration Quad
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Continuous Collector Current 72 A
Power Dissipation 225 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MKI50-06A7: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet