Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MMIX4G20N250

MMIX4G20N250

MMIX4G20N250
MMIX4G20N250
Артикул: MMIX4G20N250
Описание: MMIX4G20N250
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 2500 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.1 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 23 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MMIX4G20N250: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 2500 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.1 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 23 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MMIX4G20N250: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet