Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
MWI30-06A7T

MWI30-06A7T

MWI30-06A7T
MWI30-06A7T
Артикул: MWI30-06A7T
Описание: MWI30-06A7T
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 600 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Continuous Collector Current 45 A
Power Dissipation 140 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MWI30-06A7T: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer IXYS
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 600 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Continuous Collector Current 45 A
Power Dissipation 140 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MWI30-06A7T: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet