MWI50-12A7T
MWI50-12A7T
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
85 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MWI50-12A7T: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
85 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MWI50-12A7T: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
