MWI75-06A7T
MWI75-06A7T
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
90 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MWI75-06A7T: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
90 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MWI75-06A7T: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

