Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
NXH160T120L2Q2F2SG

NXH160T120L2Q2F2SG

NXH160T120L2Q2F2SG
NXH160T120L2Q2F2SG
Артикул: NXH160T120L2Q2F2SG
Описание: NXH160T120L2Q2F2SG
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V; 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.47 V; 2.15 V
Configuration Split-T
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA; 500 nA
Continuous Collector Current 100 A; 160 A
Power Dissipation 500 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module NXH160T120L2Q2F2SG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V; 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.47 V; 2.15 V
Configuration Split-T
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA; 500 nA
Continuous Collector Current 100 A; 160 A
Power Dissipation 500 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module NXH160T120L2Q2F2SG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet