Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
NXH80B120H2Q0SG

NXH80B120H2Q0SG

NXH80B120H2Q0SG
NXH80B120H2Q0SG
Артикул: NXH80B120H2Q0SG
Описание: NXH80B120H2Q0SG
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Continuous Collector Current 40 A
Power Dissipation 103 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module NXH80B120H2Q0SG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Product IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.2 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Continuous Collector Current 40 A
Power Dissipation 103 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module NXH80B120H2Q0SG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet