Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
NXH80T120L2Q0P2TG

NXH80T120L2Q0P2TG

NXH80T120L2Q0P2TG
NXH80T120L2Q0P2TG
Артикул: NXH80T120L2Q0P2TG
Описание: NXH80T120L2Q0P2TG
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 67 A
Power Dissipation 158 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module NXH80T120L2Q0P2TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Gate-Emitter Leakage Current 300 nA
Continuous Collector Current 67 A
Power Dissipation 158 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module NXH80T120L2Q0P2TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet