Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
NXH80T120L2Q0S1G

NXH80T120L2Q0S1G

NXH80T120L2Q0S1G
NXH80T120L2Q0S1G
Артикул: NXH80T120L2Q0S1G
Описание: NXH80T120L2Q0S1G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V; 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.4 V; 2.05 V
Configuration T-Type
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA; 300 nA
Continuous Collector Current 49 A; 67 A
Power Dissipation 158 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module NXH80T120L2Q0S1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V; 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.4 V; 2.05 V
Configuration T-Type
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA; 300 nA
Continuous Collector Current 49 A; 67 A
Power Dissipation 158 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module NXH80T120L2Q0S1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet