Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
STGE200NB60S

STGE200NB60S

STGE200NB60S
STGE200NB60S
Артикул: STGE200NB60S
Описание: STGE200NB60S
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.2 V
Configuration Single Dual Emitter
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 200 A
Power Dissipation 600 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGE200NB60S: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.2 V
Configuration Single Dual Emitter
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 200 A
Power Dissipation 600 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGE200NB60S: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet