Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
STGIPN3H60AT

STGIPN3H60AT

STGIPN3H60AT
STGIPN3H60AT
Артикул: STGIPN3H60AT
Описание: STGIPN3H60AT
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer STMicroelectronics
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.6 V
Configuration 3-Phase Inverter
Continuous Collector Current 3 A
Power Dissipation 8 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPN3H60AT: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer STMicroelectronics
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.6 V
Configuration 3-Phase Inverter
Continuous Collector Current 3 A
Power Dissipation 8 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPN3H60AT: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet