Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
STGIPNS3H60T-H

STGIPNS3H60T-H

STGIPNS3H60T-H
STGIPNS3H60T-H
Артикул: STGIPNS3H60T-H
Описание: STGIPNS3H60T-H
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer STMicroelectronics
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Configuration 3-Phase Inverter
Continuous Collector Current 3 A
Power Dissipation 6.6 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPNS3H60T-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer STMicroelectronics
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Configuration 3-Phase Inverter
Continuous Collector Current 3 A
Power Dissipation 6.6 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPNS3H60T-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet