История:
AD96687BQ
STGIPS20C60
STGIPS20C60
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
3-Phase
Continuous Collector Current
20 A
Power Dissipation
46 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS20C60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
3-Phase
Continuous Collector Current
20 A
Power Dissipation
46 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS20C60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

