История:
LS1028ASN7PQA
ESF-RS250A70YB3
STGIPS30C60
STGIPS30C60
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
30 A
Power Dissipation
52 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS30C60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current
30 A
Power Dissipation
52 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS30C60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

