Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
STGIPS30C60T-H

STGIPS30C60T-H

STGIPS30C60T-H
STGIPS30C60T-H
Артикул: STGIPS30C60T-H
Описание: STGIPS30C60T-H
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer STMicroelectronics
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Configuration 3-Phase Inverter
Gate-Emitter Leakage Current -
Continuous Collector Current 30 A
Power Dissipation 52 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS30C60T-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer STMicroelectronics
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Configuration 3-Phase Inverter
Gate-Emitter Leakage Current -
Continuous Collector Current 30 A
Power Dissipation 52 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS30C60T-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet