VII130-06P1
VII130-06P1
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
121 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VII130-06P1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
IXYS
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
121 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VII130-06P1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

