История:
10A-SM-0.5
40A-SF-2.5
VS-ST083S08MFM1P
TM4C129EKCPDTT3
CS20-25MO1F
LTC1061ACN
LS1028ACN7NQA
S10B-SM-4B-2PG16-PC
10A-GM-0.37
ZXTP722MATA
S10B-SM-1L.M-M25-MC
ISL24858IRXZ-T13
ADCMP601BKSZ-R2
LTC1563-3CGN
PTGL07BA0R9M1B51B0
HMC424ALP3E
ADCMP572BCPZ-WP
TM4C129DNCZADI3
CS45-12IO1
Z0109MA 5AL2
S10B-SM-4B-M20-PC
MCD162-16IO1B
DS1.5-TW-PE
VS-70MT060WHTAPBF
VS-70MT060WHTAPBF
Характеристики
Manufacturer
Vishay
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
100 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-70MT060WHTAPBF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Vishay
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
100 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-70MT060WHTAPBF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

