Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
VS-ETF075Y60U

VS-ETF075Y60U

VS-ETF075Y60U
VS-ETF075Y60U
Артикул: VS-ETF075Y60U
Описание: VS-ETF075Y60U
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Vishay
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA; 400 nA
Continuous Collector Current 109 A
Power Dissipation 294 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-ETF075Y60U: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Vishay
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA; 400 nA
Continuous Collector Current 109 A
Power Dissipation 294 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-ETF075Y60U: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet