Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N
VS-ETF150Y65N
Артикул: VS-ETF150Y65N
Описание: VS-ETF150Y65N
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Vishay
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 201 A
Power Dissipation 600 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-ETF150Y65N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Vishay
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 600 nA
Continuous Collector Current 201 A
Power Dissipation 600 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-ETF150Y65N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet