Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
VS-GA300TD60S

VS-GA300TD60S

VS-GA300TD60S
VS-GA300TD60S
Артикул: VS-GA300TD60S
Описание: VS-GA300TD60S
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Vishay
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.24 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Continuous Collector Current 530 A
Power Dissipation 1.136 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GA300TD60S: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Vishay
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.24 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Continuous Collector Current 530 A
Power Dissipation 1.136 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GA300TD60S: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet