VS-GB100TS60NPBF
VS-GB100TS60NPBF
Характеристики
Manufacturer
Vishay
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
108 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB100TS60NPBF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Vishay
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
108 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB100TS60NPBF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

