Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
VS-GB100YG120NT

VS-GB100YG120NT

VS-GB100YG120NT
VS-GB100YG120NT
Артикул:
Описание: VS-GB100YG120NT
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Vishay
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Configuration 4-Pack
Gate-Emitter Leakage Current 440 nA
Continuous Collector Current 127 A
Power Dissipation 625 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB100YG120NT: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Vishay
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Configuration 4-Pack
Gate-Emitter Leakage Current 440 nA
Continuous Collector Current 127 A
Power Dissipation 625 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB100YG120NT: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet