Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
VS-GB200TH120U

VS-GB200TH120U

VS-GB200TH120U
VS-GB200TH120U
Артикул: VS-GB200TH120U
Описание: VS-GB200TH120U
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Vishay
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.1 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 330 A
Power Dissipation 1.316 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB200TH120U: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Vishay
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.1 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 330 A
Power Dissipation 1.316 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB200TH120U: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet