VS-GB50YF120N
VS-GB50YF120N
Характеристики
Manufacturer
Vishay
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Quad
Continuous Collector Current
66 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB50YF120N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Vishay
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Quad
Continuous Collector Current
66 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB50YF120N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

