История:
ZXTP2025FTA
TM4C123GH6PZTR
AM3354BZCED60
MCF52234CVM60
MSDF000R
E32/16/9-3C96-G500
E32/16/9-3C94-G500
B1201UCLTP
0034.5628.22
S10B-TE-4B-M20
T3710N06TOF VT
P2600SALRP
LSP05G480PN
0034.5709.22
KWant30-1C05SDP
EFD20/10/7-3F36-A100
APT8024JLL
BUF12840AIRGET
EFD12/6/3.5-3F46-S
DD-007-MC
MCF51AG128CLF
PM-M12S-04P-MM-SL8A01
2027-07-CLF
VS-GB75YF120N
VS-GB75YF120N
Характеристики
Manufacturer
Vishay
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Quad
Continuous Collector Current
100 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB75YF120N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Vishay
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Quad
Continuous Collector Current
100 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB75YF120N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

