VS-GB75YF120UT
VS-GB75YF120UT
Характеристики
Manufacturer
Vishay
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.8 V
Gate-Emitter Leakage Current
200 nA
Continuous Collector Current
100 A
Power Dissipation
480 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB75YF120UT: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Vishay
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.8 V
Gate-Emitter Leakage Current
200 nA
Continuous Collector Current
100 A
Power Dissipation
480 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB75YF120UT: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

