VS-GT200TP065N
VS-GT200TP065N
Характеристики
Manufacturer
Vishay
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9 V
Configuration
Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current
600 nA
Continuous Collector Current
221 A
Power Dissipation
600 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GT200TP065N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Vishay
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9 V
Configuration
Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current
600 nA
Continuous Collector Current
221 A
Power Dissipation
600 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GT200TP065N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet