История:
BUF08630RGWR
BUF07704AIPWPR
VS-GT300YH120N
VS-GT300YH120N
Характеристики
Manufacturer
Vishay
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.17 V
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
341 A
Power Dissipation
1.042 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GT300YH120N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Vishay
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.17 V
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
341 A
Power Dissipation
1.042 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GT300YH120N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

