Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
VS-GT400TH60N

VS-GT400TH60N

VS-GT400TH60N
VS-GT400TH60N
Артикул: VS-GT400TH60N
Описание: VS-GT400TH60N
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Vishay
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 530 A
Power Dissipation 1.6 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GT400TH60N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Vishay
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 530 A
Power Dissipation 1.6 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GT400TH60N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet