2N2608 Microchip Technology
2N2608 Microchip Technology
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Transistor Polarity
P-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
30 V
Gate-Source Cut-off Voltage
0.75 V to 6 V
Drain-Source Current at Vgs=0
- 1 mA to - 5 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Unit Weight
3,698 g
Brand
Microchip Technology
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
N
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Описание
Транзистор 2N2608 Microchip Technology
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2N2608 Microchip Technology . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2N2608 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Transistor Polarity
P-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
30 V
Gate-Source Cut-off Voltage
0.75 V to 6 V
Drain-Source Current at Vgs=0
- 1 mA to - 5 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Unit Weight
3,698 g
Brand
Microchip Technology
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
N
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Описание
Транзистор 2N2608 Microchip Technology
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2N2608 Microchip Technology . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2N2608 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet