2N2609 InterFET
2N2609 InterFET
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 30 V
Gate-Source Cut-off Voltage
4 V
Drain-Source Current at Vgs=0
- 10 mA
Id - Continuous Drain Current
5 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Unit Weight
1,204 g
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
25 mS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
2N26
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор 2N2609 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2N2609 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2N2609 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 30 V
Gate-Source Cut-off Voltage
4 V
Drain-Source Current at Vgs=0
- 10 mA
Id - Continuous Drain Current
5 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Unit Weight
1,204 g
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
25 mS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
2N26
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор 2N2609 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2N2609 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2N2609 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet