2N3823 Microchip Technology
2N3823 Microchip Technology
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
30 V
Gate-Source Cut-off Voltage
8 V
Id - Continuous Drain Current
20 mA
Maximum Drain Gate Voltage
30 V
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Operating Temperature Range
- 55 C to + 200 C
Unit Weight
1,192 g
Brand
Microchip Technology
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-72-4
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
N
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор 2N3823 Microchip Technology
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2N3823 Microchip Technology . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2N3823 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
30 V
Gate-Source Cut-off Voltage
8 V
Id - Continuous Drain Current
20 mA
Maximum Drain Gate Voltage
30 V
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Operating Temperature Range
- 55 C to + 200 C
Unit Weight
1,192 g
Brand
Microchip Technology
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-72-4
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
N
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор 2N3823 Microchip Technology
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2N3823 Microchip Technology . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2N3823 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet