2N4091e3 Microchip Technology
2N4091e3 Microchip Technology
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
40 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 40 V
Drain-Source Current at Vgs=0
30 mA
Id - Continuous Drain Current
10 mA
Maximum Drain Gate Voltage
0.2 V
Pd - Power Dissipation
0.36 W
Rds On - Drain-Source Resistance
30 Ohms
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Brand
Microchip Technology
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18-3
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Описание
Транзистор 2N4091e3 Microchip Technology
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2N4091e3 Microchip Technology . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2N4091e3 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
40 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 40 V
Drain-Source Current at Vgs=0
30 mA
Id - Continuous Drain Current
10 mA
Maximum Drain Gate Voltage
0.2 V
Pd - Power Dissipation
0.36 W
Rds On - Drain-Source Resistance
30 Ohms
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Brand
Microchip Technology
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18-3
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Описание
Транзистор 2N4091e3 Microchip Technology
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2N4091e3 Microchip Technology . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2N4091e3 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet