2N4416A TIN/LEAD Central Semiconductor
2N4416A TIN/LEAD Central Semiconductor
Характеристики
Manufacturer
Central Semiconductor
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
35 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
35 V
Gate-Source Cut-off Voltage
6 V
Drain-Source Current at Vgs=0
15 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Unit Weight
431,107 mg
Brand
Central Semiconductor
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
2000
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-72-4
Packaging
Box
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
N
Series
2N4416A
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Описание
Транзистор 2N4416A TIN/LEAD Central Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2N4416A TIN/LEAD Central Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2N4416A TIN/LEAD , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Central Semiconductor
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
35 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
35 V
Gate-Source Cut-off Voltage
6 V
Drain-Source Current at Vgs=0
15 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Unit Weight
431,107 mg
Brand
Central Semiconductor
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
2000
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-72-4
Packaging
Box
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
N
Series
2N4416A
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Описание
Транзистор 2N4416A TIN/LEAD Central Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2N4416A TIN/LEAD Central Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2N4416A TIN/LEAD , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet