2N4856 InterFET
2N4856 InterFET
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
15 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 40 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 10 V
Drain-Source Current at Vgs=0
50 mA
Id - Continuous Drain Current
500 pA
Pd - Power Dissipation
1.8 W
Rds On - Drain-Source Resistance
25 Ohms
Unit Weight
25,292 g
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
2N485
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор 2N4856 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2N4856 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2N4856 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
15 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 40 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 10 V
Drain-Source Current at Vgs=0
50 mA
Id - Continuous Drain Current
500 pA
Pd - Power Dissipation
1.8 W
Rds On - Drain-Source Resistance
25 Ohms
Unit Weight
25,292 g
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
2N485
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор 2N4856 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2N4856 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2N4856 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet