2N5020 InterFET
2N5020 InterFET
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 15 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
25 V
Gate-Source Cut-off Voltage
1.5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
- 1.2 mA
Id - Continuous Drain Current
1 nA
Pd - Power Dissipation
500 mW (1/2 W)
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
1 mS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
2N50
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор 2N5020 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2N5020 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2N5020 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 15 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
25 V
Gate-Source Cut-off Voltage
1.5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
- 1.2 mA
Id - Continuous Drain Current
1 nA
Pd - Power Dissipation
500 mW (1/2 W)
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
1 mS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
2N50
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор 2N5020 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2N5020 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2N5020 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet