2N5021 InterFET
2N5021 InterFET
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
P-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
25 V
Gate-Source Cut-off Voltage
2.5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
- 3.5 mA
Pd - Power Dissipation
500 mW
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
1.5 mS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор 2N5021 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2N5021 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2N5021 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
InterFET
Transistor Polarity
P-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
25 V
Gate-Source Cut-off Voltage
2.5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
- 3.5 mA
Pd - Power Dissipation
500 mW
Brand
InterFET
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
1
Forward Transconductance - Min
1.5 mS
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-18-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор 2N5021 InterFET
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2N5021 InterFET . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2N5021 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet