2N5460 TIN/LEAD Central Semiconductor
2N5460 TIN/LEAD Central Semiconductor
Характеристики
Manufacturer
Central Semiconductor
Transistor Polarity
P-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
4 V
Id - Continuous Drain Current
10 mA
Maximum Drain Gate Voltage
40 V
Pd - Power Dissipation
310 mW
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Brand
Central Semiconductor
Factory Pack Quantity
2500
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-92-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
N
Series
2N5460
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Описание
Транзистор 2N5460 TIN/LEAD Central Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2N5460 TIN/LEAD Central Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2N5460 TIN/LEAD , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Central Semiconductor
Transistor Polarity
P-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
4 V
Id - Continuous Drain Current
10 mA
Maximum Drain Gate Voltage
40 V
Pd - Power Dissipation
310 mW
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Brand
Central Semiconductor
Factory Pack Quantity
2500
Mounting Style
Through Hole
Package/Case
TO-92-3
Packaging
Bulk
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
N
Series
2N5460
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Описание
Транзистор 2N5460 TIN/LEAD Central Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2N5460 TIN/LEAD Central Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2N5460 TIN/LEAD , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet