2SK2145-Y(TE85L,F) Toshiba
2SK2145-Y(TE85L,F) Toshiba
Характеристики
Manufacturer
Toshiba
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 30 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 1.5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
1.2 mA
Id - Continuous Drain Current
14 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Unit Weight
16 mg
Brand
Toshiba
Configuration
Dual
Factory Pack Quantity
3000
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
SMV-5
Packaging
Reel
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
2SK2145
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор 2SK2145-Y(TE85L,F) Toshiba
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2SK2145-Y(TE85L,F) Toshiba . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2SK2145-Y(TE85L,F) , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
Toshiba
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 30 V
Gate-Source Cut-off Voltage
- 1.5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
1.2 mA
Id - Continuous Drain Current
14 mA
Pd - Power Dissipation
300 mW
Unit Weight
16 mg
Brand
Toshiba
Configuration
Dual
Factory Pack Quantity
3000
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
SMV-5
Packaging
Reel
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
2SK2145
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор 2SK2145-Y(TE85L,F) Toshiba
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2SK2145-Y(TE85L,F) Toshiba . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2SK2145-Y(TE85L,F) , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet