2SK3666-2-TB-E ON Semiconductor
2SK3666-2-TB-E ON Semiconductor
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Id - Continuous Drain Current
1.5 mA
Pd - Power Dissipation
200 mW
Rds On - Drain-Source Resistance
200 Ohms
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
8 mg
Brand
ON Semiconductor
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
3000
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
SOT-23-3
Packaging
Reel
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
2SK3666
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Описание
Транзистор 2SK3666-2-TB-E ON Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2SK3666-2-TB-E ON Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2SK3666-2-TB-E , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Id - Continuous Drain Current
1.5 mA
Pd - Power Dissipation
200 mW
Rds On - Drain-Source Resistance
200 Ohms
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
8 mg
Brand
ON Semiconductor
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
3000
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
SOT-23-3
Packaging
Reel
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
RoHS
Details
Series
2SK3666
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Описание
Транзистор 2SK3666-2-TB-E ON Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2SK3666-2-TB-E ON Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2SK3666-2-TB-E , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet